我在沁恒公众号上的ch582手表项目得到灵感使用easyflash存储配置信息，但是在向ch32v307移植的时候出现不能正常读写的问题，这里贴一下工程和错误截图，希望官方可以帮忙查一下这个问题的所在。

CH32V307VCT6 -ef.zip

您好，注意在进行FLASH编程的时候，要根据所选的编程方式进行擦写。CH32V307支持标准编程（2字节编程）和快速编程（256字节编程）方式，要根据不同的编程方式进行解锁上锁。注意一下写函数中编程方式的选择，其次，擦除时注意一下进行解锁操作。在我们手册以及EVT例程 FLASH例程中都有对应的讲解和例程。手册可参考第二章。

CH32V307应用手册：http://www.wch.cn/downloads/CH32FV2x_V3xRM_PDF.html 

CH32V307EVT例程：http://www.wch.cn/downloads/CH32V307EVT_ZIP.html

还有几个疑问：

1、非0等待区也能用快速编程吗？

2、如果要进行uint32数据的写入，调用FLASH_ProgramWord是否可行？

3、片上flash最小erase大小是不是4k字节？

4、flash擦除和写入之前是不是都要先执行FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

5、单字写入有办法解决吗？

初学问题有点多，见谅。

您好，关于你的疑问，回复如下：

1、非零等待区域可以用快速编程；

2、FLASH编程写入只能按照 2字节或 256字节的编程方式，如下图。但FLASH_ProgramWord函数是在2字节编程基础上写的，应该也是没问题的，需要注意一下地址递增要+4；

3、标准编程下，最小擦除区域4K字节；快速编程下，最小擦除区域256字节，参考下图；

4、该操作为清除状态寄存器的相应位，非必要，但建议加上；

5、参考2

建议看应用手册32 章节，有详细介绍及操作步骤，后续若有问题，可通过邮箱联系（lzs@wch.cn）。