技术交流群没人理，还是使用论坛罢。
使用如下代码：
FLASH_ROM_READ(0x00036000, version, 2);
UART0_SendByte(version[1]);
这样来读取两个字节，输出第二个字节。
是在TMOS系统框架下运行的。为一个事件的一部分。
现在的问题是：
第一次串口接收指令，读取地址的flash，但是没有在串口有输出，此时接收其他指令，该串口有输出那条指令对应的内容，然后再接收flash的指令，就可以读取并串口输出了。这样一次之后就可以一直读取并输出了。但是重新上电就又不行了，又要重新操作一遍。目前感觉是TMOS直接无视了第一次的flash读取串口输出，没有任何调试信息打印。
提问：
1、flash读取是否需要初始化？
2、是flash读取时间较慢导致TMOS阻塞了吗（有试过读取flash后延迟5ms再串口输出但还是不行）？
会不会是flash不支持按字读取需要对齐？
注意codeflash要4字节对齐操作。
“FLASH_ROM_READ(0x00036000, version, 2);”
这样调用，读取长度为“2”而非“4”，会比预期多读出2个字节，填到version数组后面的version[2] version[3]中，可能越界访问导致异常。
"第一次串口接收指令，读取地址的flash，但是没有在串口有输出"
这个现象不太正常。即使有一点不规范，也是可以读到数据的。UART0_SendByte(version[1]);所在的TMOS事件可以执行到吗？事件的安排是否异常。
1、flash读取是否需要初始化？
不用初始化。
2、是flash读取时间较慢导致TMOS阻塞了吗（有试过读取flash后延迟5ms再串口输出但还是不行）？
操作flash本身即是阻塞操作，操作大面积的flash是有可能导致其他TMOS事件延迟的。只读取4个字节只占用ms级别的时间开销，一般影响不大。
感谢解答，
已了解flash相关使用规范；
已解决串口输出问题，系接收解析逻辑有误，数据长度正好是FIFO的整数倍且未判断出包尾，导致既没有因为超时而触发超市中断置位，也没有因为未到达触发点而触发中断置位，于是命令未及时动作导致没有清空数组，而每次只读取第一条命令导致出现了串口阻塞的假象，其实功能正常。
还有一个小小的问题，
因为找不到FLASH_EEPROM_CMD( uint8_t cmd, uint32_t StartAddr, void *Buffer, uint32_t Length );的函数具体内容，想知道函数内进行flash操作时有无禁用中断，如果禁用了那可以减少代码复杂度，如果没禁用，为确保长字节4K写入无误，需要禁用中断。因为没看到例程有禁用所以问一下，虽然例程也没开中断而且写的字节也不长就是了。
