代码通过TMOS任务，每隔500ms读一次从机I2C数据。现在测试结果就是，跑了几分钟或者十几分钟后就会卡死在I2C，数据线拉低。

您好，卡死时可以调用以下接口复位一下硬件IIC模块。

I2C_SoftwareResetCmd(ENABLE);

I2C_SoftwareResetCmd(DISABLE);

排查①外围电路是否有5~10K的上拉电阻上拉到V33

②出故障时打印一下IIC状态寄存器R16_I2C_STAR1和R16_I2C_STAR2，查看哪些标志位异常

③可以尝试提高IIC的中断优先级，接口函数：PFIC_SetPriority

上拉电阻是10K，中断也只有I2C中断开着。

目前发现，只要一出现I2C卡死，电流会莫名的高5mA。我现在是一个任务里多次读I2C，这个是否会有影响呢？

R16_I2C_STAR2状态如图

把编译器中的代码优化改成无优化貌似就不会死掉了，现在挂着让它跑了三小时都还正常，取而代之的是内存暴涨= =。优化程度怎么还会影响这个的？

挂了一晚上，无优化也还是会死，不过无优化可以运行3,4个小时才会死，全优化最多半小时。

而且无优化死的时候是报的错是总线忙，没有数据线拉低的动作。

    while(wait && (i2c_state == I2C_MTX)) {

        continue;

    }

会一直卡在这个地方。

这个问题有点神奇，导致我想优化都无从下手= =

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