你好

请问CH573在交付客户之前，除了要调整晶振负载电容的寄存器，还需要调整哪些值？另外调整负载电容的时候，请问是需要测量2.4G输出的频率，还是直接测量晶振的输出脚就可以？

调整频偏，可以调整高频晶振的匹配电容，提供的接口函数如下，上电以后在main函数开头调用1次即可

/*******************************************************************************
* Function Name  : HSECFG_Capacitance
* Description    : HSE晶体 负载电容配置
* Input          : c: refer to HSECapTypeDef
* Return         : None
*******************************************************************************/
void HSECFG_Capacitance( HSECapTypeDef c )
{
    UINT8  x32M_c;
   
    x32M_c = R8_XT32M_TUNE;
    x32M_c = (x32M_c&0x8f)|(c<<4);
   
    R8_SAFE_ACCESS_SIG = SAFE_ACCESS_SIG1;  
    R8_SAFE_ACCESS_SIG = SAFE_ACCESS_SIG2; 
    R8_XT32M_TUNE = x32M_c;
    R8_SAFE_ACCESS_SIG = 0;
}

内置电容默认值是16pF,可调范围10-24pF，超出此范围外，只能通过外部硬件进行调整。

调整方法可以直接测量晶体震荡，也可以通过RF的频偏进行偏差判断，然后进行调整。

批量的板子因为物料和PCB硬件雷同，所以一般比如用5-10个板子测一个比较合理的值，然后再PCB工艺和硬件不变更的情况，使用此参数即可，如果硬件有改动，最好重新再匹配一下。