芯片为 582M. 问题随机且可复现.

基于 1.5版本EVT中的BLE \Peripheral 工程进行修改

测试硬件为  CH582M-R0-1V0.

创建test任务.  循环事件里面 进行简单的io测试

创建定时器中断  也进行简单的io测试. 

tmos的循环事件里面操作 PB12/13/14/15/16

中断里面操作PB17

异常:

测量 PB17波形.

波形应该是 每间隔20ms 出现一个短暂的高电平, 持续100us

实测会出现一段异常的高电平.

    波形方大后 如下:

整个工程, 只有在定时器中断里面操作了 PB17.

个人猜测 是不是tmos里面操作 PB上的其他bit 影响到了PB17.

该现象出现的间隔是随机的. 1到3分钟可以抓到一次.

测试工程:

Peripheral.rar

帮忙验证处理一下

如有结果. 麻烦回复下邮件

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当前的测试结果是对test_interrupt加上highcode进行处理，因为在中断的操作是需要进行highcode放在RAM中运行的。

当前可以先进行多次测试，然后查看现象是否正常。

关于相应的代码运行，后续我们考虑提供相应的讲解，会在第一时间发送至邮箱。