按CH32V30x的应用手册上的介绍，擦除后读出来的半字应该是0xe339，与平时用的Flash有所出入，平时的Flash擦除完后读出来都是0xFF。

在移植FlashDB过程中，发现始终移植不成功，如下图。

FlashDB中包含了将含1位全部写0x00的操作（先写入0x42，后续更改写入0x00），而对于CH32V30x，好像并没有这种机制。

然后下面是我的问题：

1、是否有方式可以让CH32V30x擦除后的内容为0xFF，以兼容一种比较标准且通用的Flash数据库，如FlashDB；

2、擦除为0xe339，在写入一次后是否不再可以重复修改。

也即擦除后，写入0xFF00，再写入0x0000的操作是否可以

你好，

问题一：擦除后芯片读e339为芯片特性，无法改变，你也可也在你擦除后写入ff来兼容你所说的数据库。

问题二：flash再写入后当然可以再次修改

似乎对于连续写入，v203和v307好像从擦完的0xE339->0xFFFF->0xFAFA->0xAAAA->0x0000这样连续写没问题，但是v208我似乎遇到了写入可能失败的问题，第一次修改可以，后面的可能修改不成功。请问是不是v208的flash不太一样导致的

您好，V203、V208以及V30x系列FLASH以及相关操作都是一样的，若你遇到写入问题，可将可复现问题的例程发至我的邮箱（lzs@wch.cn），顺便具体描述一下你的问题，这边具体看一下。注意FLASH具有标准编程和快速编程两种编程方式，使用时注意不同的解锁方式和编程方式。